欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:LITEON(光宝)光电元器件IC半导体全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 碳化硅

碳化硅 相关话题

TOPIC

一、材料性能 碳化硅(SiC)半导体是一种宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、高频率特性以及高抗辐射能力等优点,因此在高温、高频、大功率和高压等特殊领域中具有广泛的应用前景。 1. 物理性能:碳化硅具有高熔点和高沸点,化学性能稳定,具有优良的化学惰性。 2. 机械性能:碳化硅具有高硬度,耐磨性好,是理想的半导体材料。 3. 电学性能:碳化硅的带隙宽且稳定,具有高击穿电压和低导通电阻,是制作高温集成电路的理想材料。 二、表征方法 为了全面了解碳化硅半导体的性能,需要采用多种表征方法,包括
近日,中国新能源汽车生产量突破2000万辆大关,中国电科国基南方、55所研制的650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1200万只,实现大批量稳定供货,为我国新能源汽车产业链供应链安全提供了有力保障。 碳化硅MOSFET能够让整车性能大幅提升,基于碳化硅的新一代新能源汽车平台,可以使充电速度提高5-10倍,续航里程提高8%以上,损耗降低50%。国基南方、55所致力于推进新能源汽车用碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,打通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台,率先在新能源
在全球第三大汽车制造商 Stellantis,一个半导体元件正引领着电动汽车市场的创新潮流,那就是碳化硅 (SiC) MOSFET。此半导体元件在Stellantis的电动汽车中发挥着核心作用,不仅提升了电池性能,还为驾驶者提供了更加智能、更加环保的体验。 SiC MOSFET 的优势在于其独特的材料特性。碳化硅是一种优良的半导体材料,它的带隙宽且导热性能优良,这些特性使得 SiC MOSFET 能够承受更高的电压和温度,同时降低能量损耗。此外,SiC 还具有更高的热稳定性和化学稳定性,使得其
碳化硅(SiC)半导体以其优越的性能和广泛的应用前景,逐渐成为半导体产业的重要一员。本文将介绍碳化硅半导体的制备工艺和制造技术。 一、制备工艺 碳化硅半导体的制备主要分为三个步骤:原料制备、高温烧结和后处理。 1. 原料制备:碳化硅半导体的制备通常需要高质量的原料,如碳化硅颗粒、金属硅等。这些原料需要经过严格的筛选和清洗,以确保其纯度和一致性。 2. 高温烧结:高温烧结是制备碳化硅半导体的重要步骤。在高温环境下,原料中的碳化硅颗粒会逐渐结合,形成具有导电性的碳化硅晶体。这一过程需要控制温度、气
近日,瞻芯电子官微表示,其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线,开发了第二代碳化硅 SiC MOSFET产品,其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书,而且通过了新能源行业头部企业的导入测试,正式开启量产交付。 据介绍,瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V,可提升应用兼容性,简化应用系统设计。在产品结构上,第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET,但进一
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)和硅(Si)是两种重要的化合物半导体材料。它们各自具有独特的性能特点,适用于不同的应用领域。本文将对比这两种材料,并探讨碳化硅的优势。 首先,硅基半导体是当前应用最广泛的半导体材料,具有成本低、产量高、技术成熟等优点。然而,硅基半导体在高频、高温和高温高频率等恶劣环境下性能较差,限制了其在某些领域的应用。 相比之下,碳化硅具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压和更高的高温性能,使其在恶劣环境下表现出更好的性能。此外,碳化硅的导热率也远高于硅基半导体,这使得它在功
一、基本性质 碳化硅(SiC)半导体是一种宽禁带半导体材料,具有高导热性、高强度和良好的化学稳定性。碳化硅的能带结构独特,使其在高温、高压和高频率等恶劣环境下具有出色的性能。其带隙宽度可高达2.3电子伏特,这使得它在制作高温电子器件和太阳能电池等领域具有显著优势。 二、应用领域 1. 电力电子:碳化硅在电力电子设备中广泛应用,如逆变器、变流器和高频开关电源等。由于其高导热性和耐高温特性,碳化硅二极管和晶闸管在高温环境下具有出色的性能,大大提高了设备的效率和可靠性。 2. 太阳能电池:碳化硅太阳
碳化硅SIC MOS优点:高频高效,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度。 相对应于传统MOSFET以及IGBT有以下优点: ╱ 高工作频率 ╱ 传统MOSFET工作频率在60KHZ左右,而碳化硅MOSFET在1MHZ 用途:高频工作,可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积,降低电源成本,让电源实现小型化,美观化。从而实现电源的升级换代。 ╱ 低导通阻抗 ╱ 碳化硅MOSFET单管最小内阻可以达到15毫欧,这对于传统的MOSFET看来是不可想象的。 用途:轻松达
根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 碳化硅SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析,随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动2023年整体碳化硅SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。 与此同时,受惠于下游应用市场的强劲需求,TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。 TrendForce集邦咨询表示,碳化硅Si
SiC MOSFET 因材料独特的物理特性,会出现与Si器件不同的衰减特性,因此原有的硅基IGBT的可靠性测试项目并不能完全涵盖碳化硅器件的需求。因此,英飞凌开发了针对SiC MOSFET的独有可靠性测试标准,包括500kHz开关频率下进行栅极应力测试(GSS),交流-湿度和温度循环试验(即AC-HTC)。 英飞凌的Sic碳化硅元件具有非常高的可靠性,原因如下: Sic碳化硅元件具有非常低的开关损耗和传导损耗,这使得它们能够通过相对平坦的RDS(on)与温度的依赖关系得到改善。CoolSiC™